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用于超薄扇出堆叠型封装的激光剥离:开云app官方网站

发布时间:2023-12-05 23:39:02 浏览:

本文摘要:据麦姆斯咨询报导,扇出型PCB(fan-outpackaging)是应用于众多移动应用于的成熟技术。

据麦姆斯咨询报导,扇出型PCB(fan-outpackaging)是应用于众多移动应用于的成熟技术。早期的半导体PCB仍然是单芯片PCB,为反对功能减少造成布线密度更加大的发展趋势,拒绝更加简单的PCB、填充PCB(stackedpackages)、系统级PCB(systemsinpackage),同时还要符合高性能。

随着技术的发展,扇出型PCB正在增大成本与高性能之间的对立。无论是为符合更加小尺寸的市场需求使晶圆增厚,构建焊料成本的节约,还是作为新的布线层(redistribution-layer,RDL)首步工艺的工艺平台,所有PCB皆必须临时键合(temporarybonding)。临时键合必须键合(bonding)和挤压(debonding)两种工艺。

从扇出型晶圆级PCB(fan-outwafer-levelpackaging,FoWLP)到功率器件,每种应用于在工艺温度、机械形变和热支出等方面都有独有的拒绝,因此确认适合的剥离技术较为艰难。这里只是枚举了几个例子,实际情况更加简单。我们将在本文中重点辩论激光挤压(laserdebonding):如外用高温更加相容的材料可应用于哪些情况,激光挤压的特性适合于哪些应用于等。

为了掌控挤压带给的热输出,紫外激光(UVlasers)经常被用作挤压有所不同材料供应商获取的有所不同临时键合材料。为了保证低于的确保工作量,二极管泵浦液体激光器(diode-pumpedsolid-state,DPSS)可将高度工艺掌控的光束整形光学(beam-shapingoptics)与低于热输出结合,称得上是一项准确的自由选择。图1Chipfirst扇出型晶圆级PCB生产工艺流程示意图图2Chiplast扇出型晶圆级PCB(又称RDLfirst)生产工艺流程示意图扇出型晶圆级PCB(FoWLP)中临时键合面对的挑战FoWLP能在行业内进账极大利益,一定程度上各不相同其使用了载板(carrier),临时键合材料对化学和热兼容性的拒绝很高。

某些聚酰亚胺合乎这种苛刻的环境,也限于于激光挤压。尽管键合和挤压都是FoWLP的工艺,但两者的市场需求差异相当大。通过观察各种应用于中有所不同的半导体工艺,似乎没任何一种挤压工艺解决方案可与所有的半导体工艺相容,多个解决方案是必然选择。

这就是研发出有的各种各样的挤压工艺(剥离技术是临时键合的特征)至今仍都在用于的原因。主流剥离技术的较为最少见的方法有:热滑动挤压(thermalslide-offdebonding)、机械挤压(mechanicaldebonding)和紫外激光挤压(UVlaserdebonding)。这三种方法皆限于于大批量生产,在工艺兼容性方面差异极大。热滑动挤压(thermalslide-offdebonding)是一种利用热塑材料作为器件与载板晶圆(carrierwafer)之间黏合夹层(adhesiveinterlayer)的方法。

该方法利用了热塑材料的共轭热特性,意味著在较高的温度下,该材料的粘度不会上升,从而能通过非常简单地滑动两边的晶圆来已完成挤压。热挤压的特点是根据热塑材料的温度特性,用于范围在130°C到350°C之间,因此在较高的温度下就可已完成键通与挤压。温度稳定性在相当大程度上各不相同机械形变,我们可以仔细观察到这是由于热塑材料在高温下具备低粘度。

机械挤压(mechanicaldebonding)是一种高度倚赖晶圆表面特性、临时键合材料的黏附力和内聚力的方法。对于大多数材料系统,均可用于机械获释层(mechanicalreleaselayer)来构建高效率挤压。

机械挤压的主要特点是:可在室温下处置,且反感倚赖机械形变。由于机械挤压必须在临时键合材料与晶圆间产生较低黏附力才能顺利挤压;因此,在FoWLP应用于中用于这种方法是有些艰难的。

这是因为FoWLP工艺中产生的较高形变不会造成自发性的挤压,甚至在减薄工艺中也不会经常出现,这就不会造成良率的急遽下降。激光挤压(laserdebonding)是一种通过几种有所不同的变量来构建挤压的技术。该方法的挤压机制依赖:激光种类、临时键合胶,以及用作该工艺的特定获释层。

红外激光挤压依赖热过程展开工作:将光吸收并转化成为热能,从而在键合界面内产生高温。紫外激光挤压则一般来说依赖化学过程展开工作:用于光吸收的能量来毁坏化学键。毁坏聚合物的化学键不会造成完整聚合物展开分解成。

分解成物还包括气体,就不会减少键合界面的压力,因而协助挤压。由于在挤压工艺前,临时键合胶对晶圆具备很高的黏附力,因此这种方法十分限于于FoWLP应用于中。


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